IC封裝器件長(zhǎng)期使用的可靠性主要因素取決于芯片的互連技術(shù), 通過(guò)檢(測(cè))分析, 器件的失效約25%是由芯片互連較差導(dǎo)致的。芯片互連引起的失效主要表現(xiàn)為引線虛焊、分層、壓焊過(guò)重導(dǎo)致的引線變形及損傷、焊點(diǎn)間距過(guò)小而易于短路等, 這些失效形式都與材料表面的污染物有關(guān), 主要包括微顆粒、氧化薄層及有(機(jī))殘留等污染物。在線式等離子清洗技術(shù)為人們提供了一條環(huán)保有效的解決途徑, 已變成高自動(dòng)化的封裝工藝過(guò)程中不可缺少的關(guān)鍵設(shè)備和工藝。

       IC封裝形式千差萬(wàn)別，且不斷發(fā)展變化，但其生產(chǎn)過(guò)程大致可分為晶圓切割、芯片置放裝架內(nèi)引線鍵合、密封固化等十幾個(gè)階段，只有封裝達(dá)到要求的才能投人實(shí)際應(yīng)用，成為終端產(chǎn)品。封裝質(zhì)量的好壞將直接影響到電子產(chǎn)品成本及性能，在IC封裝中，有約1/4器件失效與材料表面的污染物有關(guān)，如何解決封裝過(guò)程中存在的微顆粒、氧化層等污染物，提高封裝質(zhì)量變得尤為重要。IC封裝中存在的問(wèn)題主要包括焊接分層、虛焊或打線強(qiáng)度不夠，導(dǎo)致這些問(wèn)題的罪魁禍?zhǔn)拙褪且€框架及芯片表面存在的污染物，主要有微顆粒污染、氧化層、有(機(jī))物殘留等，這些存在的污染物使銅引線在芯片和框架基板間的打線焊接不完(全)或存在虛焊。
       第壹個(gè)環(huán)節(jié)是芯片和基板進(jìn)行粘接前需要用等離子清洗。
       芯片基材粘接
       芯片和基板都是高分子材料，材料表面通常呈現(xiàn)為疏水性和惰性特征，其表面粘接性能較差，粘接過(guò)程中界面容易產(chǎn)生空隙，給密封封裝后的芯片帶來(lái)很大的隱患，對(duì)芯片與封裝基板的表面進(jìn)行等離子處理能有效增加其表面活性，極大的改善粘接環(huán)氧樹(shù)脂在其表面的流動(dòng)性，提高芯片和封裝基板的粘結(jié)浸潤(rùn)性，減少芯片與基板的分層，改善熱傳導(dǎo)能力，提高IC封裝的可靠性、穩(wěn)定性，增加產(chǎn)品的壽命。
       第二個(gè)環(huán)節(jié)是引線框架的處理
       芯片引線框架
       微電子封裝領(lǐng)域采用引線框架的塑封形式，仍占到80%以上，其主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架，銅的氧化物與其它一些有(機(jī))污染物會(huì)造成密封模塑與銅引線框架的分層，造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象，同時(shí)也會(huì)影響芯片的粘接和引線鍵合質(zhì)量，確保引線框架的超潔凈是保證封裝可靠性與良率的關(guān)鍵，經(jīng)等離子處理可達(dá)到引線框架表面超凈化和活(化)的(效)果，成品良率比傳統(tǒng)的濕法清洗會(huì)極大的提高，并且免除了廢水排放，降(低)化學(xué)藥水采購(gòu)成本。
       第三個(gè)環(huán)節(jié)是優(yōu)化引線鍵合（打線）
       芯片引線鍵合
       集成電路引線鍵合的質(zhì)量對(duì)微電子器件的可靠性有決定性影響，鍵合區(qū)必須無(wú)污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在，如氧化物、有(機(jī))殘?jiān)榷紩?huì)嚴(yán)重削弱引線鍵合的拉力值。傳統(tǒng)的濕法清洗對(duì)鍵合區(qū)的污染物去除不徹底或者不能去除，而采用等離子清洗能有效去除鍵合區(qū)的表面沾污并使其表面活(化)，能明(顯)提高引線的鍵合拉力，極大的提高封裝器件的可靠性。
集成電路或IC芯片是當(dāng)今電子產(chǎn)品的復(fù)雜基石。現(xiàn)代IC芯片包括印刷在晶片上的集成電路，并且附接到“封裝”，該“封裝”包含到印刷電路板的電連接，IC芯片焊接在印刷電路板上。用于IC芯片的封裝還提供遠(yuǎn)離晶片的磁頭轉(zhuǎn)移，并且在某些情況下，提供圍繞晶片本身的引線框架。
       IC芯片制造領(lǐng)域中，等離子處理技術(shù)己是一種不可替代的成熟工藝，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是我們的低溫等離子表面處理設(shè)備所能達(dá)到的：在晶元表面去除氧化膜、有(機(jī))物、去掩膜等超凈化處理及表面活(化)提高晶元表面浸潤(rùn)性。